Извините, регистрация закрыта. Возможно, на событие уже зарегистрировалось слишком много человек, либо истек срок регистрации. Подробности Вы можете узнать у организаторов события.
Сдвиги энергии связи остовных уровней металлических элементов (лекция на английском языке с синхронным переводом)
"Сдвиги энергии связи остовных уровней металлических элементов"
Предметом рассмотрения является вопрос энергии связи остовных уровней в металлах. Общее рассмотрение сдвигов энергии связи остовных уровней в металлах относительно свободного атома представлено и применено ко всем металлическим элементам в периодической таблице. Важными положениями этого теоретического описания являются (a) предположение о полностью экранированном конечном состоянии атома металла и (b) приближение (Z + 1) для распределения заряда экранирующих валентных электронов вокруг ионизированной оболочки. Эта комбинация ионизованной оболочки картины полного экранирования и (Z+1) приближения делают возможным введение энергетического цикла (Борна-Хабера), который связывает процессы ионизации начального и конечного состояния. Из этого цикла становится очевидным, что основной вклад в химический сдвиг энергии электронов остовных уровней вносит разница энергии связи между (Z + 1) и Z металлами и соответствующей энергией ионизации (Z + 1) атома (обычно первого потенциала ионизации). Появление потенциала ионизации в сдвиге происходит из допущения о нейтральном заряде конечного состояния, в то время как вклад от энергии связи по существу описывает изменение свойств между начальным и конечным состоянием атома.
Такой подход к рассмотрению вопросов химического сдвига электронов остовных уровней атомов объемных металлов легко может быть применен для поверхностных атомов. Для переходных металлов с малыми атомными номерами было обнаружено, что электроны остовных уровней сильнее связаны на поверхности, чем в объеме, в то время как в других случаях верно обратное. Это изменение знака поверхностного сдвига вызвано влиянием d-орбиталей.