Извините, регистрация закрыта. Возможно, на событие уже зарегистрировалось слишком много человек, либо истек срок регистрации. Подробности Вы можете узнать у организаторов события.
Кинетика быстрого и медленного роста кристаллов при стекловании расплавов, (лекция на английском языке с синхронным переводом)
"Кинетика быстрого и медленного роста кристаллов при стекловании расплавов"
Скорость роста кристаллов в переохлажденной жидкости является важным фактором, влияющем на способность к стеклованию, а также представляет интерес и в отношении других явлений и процессов. Мы провели сравнение скорости роста кристаллов(с использованием опубликованных данных) широкого спектра систем (включая чистые металлы — с использованием результатов моделирования методами молекулярной динамики) при согласованной кристаллизации с плоским фронтом. В каждой системе скорость роста максимальна при некоторой температуре, лежащей в интервале между температурой стеклования и температурой плавления. Жидкости можно классифицировать по степени склонности к неравновесной кристаллизации. Неустойчивые системы демонстрируют «быстрый» рост, характеризующийся очень широким пиком на зависимости скорости роста от температуры. Для устойчивых — характерен «медленный» рост с узким пиком. Для выбранных в исследовании систем максимальная скорость роста кристаллов составляла от 156 м/с для железа (высокая) до 2 нм/с для кремния (низкая). Такое различное поведение при охлаждении объясняется, в основном, динамикой переохлажденной жидкости, а отнюдь не термодинамическим напором при кристаллизации. Низкая устойчивость, в принципе, коррелирует с более низкими температурами стеклования, Trg, а также с большей нестабильностью жидкого состояния, m. Поскольку между собой эти параметры не связаны, для расчета устойчивости необходимы значения обоих. Предложено использовать единственный параметр, демонстрирующий хорошую корреляцию, как со скоростью роста, так и со способностью к стеклованию. Проведенный анализ позволяет в той или иной степени дать ответы на следующие вопросы: (I) Каков диапазон металлических систем, склонных к стеклованию? (II) Возможно ли стеклование расплавов чистых металлов? (III) Как обеспечить в халькогенидах для устройств памяти с изменением фазового состояния высокую скорость кристаллизации, необходимую для быстрого переключения, с временной стабильностью такой памяти?